| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| APT200GN60JG | Microsemi Power Products Group | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 0 | |
| APT75GN120JDQ3G | Microsemi Power Products Group | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 |
| 类别: | 半导体模块 |
|---|---|
| IGBT 类型: | 沟道和场截止 |
| 配置: | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）: | 1.85V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: | 283A |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 25µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies): | 14.1nF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 682W |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | ISOTOP |
| 供应商设备封装: | ISOTOP? |