半导体模块 APTC80H29T1G品牌、价格、PDF参数

APTC80H29T1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTC80H29T1G Microsemi Power Products Group MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 0 20:$44.50750
APTC80TA15PG Microsemi Power Products Group MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6P 0 10:$132.08300
APTM50DAM38CTG Microsemi Power Products Group MOSFET N-CH 500V 90A SP4 0 10:$147.30400
APTC80H29T1G • PDF参数
类别: 半导体模块
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 290 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2254pF @ 25V
功率 - 最大: 156W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商设备封装: SP1
包装: 散装