元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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NGB8204ANT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 18A 430V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.62000 10:$2.36200 25:$2.11560 100:$1.90240 250:$1.68920 |
NGB8202ANT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 400V D2PAK | 0 | 800:$1.29560 |
NGB8206ANT4G | ON Semiconductor | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 | 0 | 800:$1.29560 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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IGBT 类型: | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | 430V |
Vge, Ic时的最大Vce(开): | 2V @ 4.5V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大): | 18A |
功率 - 最大: | 115W |
输入类型: | 逻辑 |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | D2PAK |
包装: | 剪切带 (CT) |