元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3 | 0 | 800:$1.34300 |
NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 0 | 800:$1.34300 1,600:$1.23250 2,400:$1.14750 5,600:$1.10500 20,000:$1.06250 40,000:$1.04550 80,000:$1.02000 |
NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100 |
NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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IGBT 类型: | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | 365V |
Vge, Ic时的最大Vce(开): | 2.05V @ 4.5V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大): | 20A |
功率 - 最大: | 165W |
输入类型: | 逻辑 |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | D2PAK |
包装: | 带卷 (TR) |