分离式半导体产品 BFG 19S E6327品牌、价格、PDF参数
BFG 19S E6327 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| BFG 19S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 |
0 |
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| BFG 196 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 |
0 |
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| BFG 193 E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 |
0 |
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| BF 799W E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323 |
0 |
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| BF 775 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 |
0 |
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| BF 770A E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 |
0 |
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| BFG 135A E6327 |
Infineon Technologies |
TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223 |
0 |
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BFG 19S E6327 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
15V
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| 频率 - 转换: |
5.5GHz
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| 噪声系数（dB典型值@频率）: |
2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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| 增益: |
14dB ~ 8.5dB
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| 功率 - 最大: |
1W
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
70 @ 70mA，8V
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| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
210mA
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-261-4，TO-261AA
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| 供应商设备封装: |
PG-SOT223-4
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| 包装: |
带卷 (TR)
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