元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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J112RL1G | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 | 0 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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漏极至源极电压(Vdss): | - |
漏极电流 (Id) - 最大: | - |
FET 型: | N 沟道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 35V |
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id: | 1V @ 1µA |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
电阻 - RDS(开): | 50 欧姆 |
安装类型: | 通孔 |
包装: | 带卷 (TR) |
封装/外壳: | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
供应商设备封装: | TO-92-3 |
功率 - 最大: | 350mW |