分离式半导体产品 SP8M7FU6TB品牌、价格、PDF参数
SP8M7FU6TB • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SP8M7FU6TB |
Rohm Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC |
0 |
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| SP8M5FU6TB |
Rohm Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.75735
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| SP8K24FU6TB |
Rohm Semiconductor |
MOSFET N-CH DUAL 45V 6A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.87615
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| SP8J65TB1 |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.96255
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| SP8J5FU6TB |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.97605
|
| SP8J66TB1 |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
0 |
2,500:$1.12320
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SP8M7FU6TB • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
N 和 P 沟道
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
5A，7A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
51 毫欧 @ 5A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 1mA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
5.5nC @ 5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
230pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
2W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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| 供应商设备封装: |
8-SOICN
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| 包装: |
带卷 (TR)
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