| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NX1029X,115 | NXP Semiconductors | MOSFET DUAL N/P-CH SOT666 | 0 | 4,000:$0.14200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | * |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | - |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | - |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装: | SOT-666 |
| 包装: | 带卷 (TR) |