分离式半导体产品 ALD1101BPAL品牌、价格、PDF参数

ALD1101BPAL • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP 0 50:$3.48760
ALD1102BPAL Advanced Linear Devices Inc MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP 0 50:$3.48760
ALD1101BPAL • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件