分离式半导体产品 GWM120-0075X1-SL SAM品牌、价格、PDF参数

GWM120-0075X1-SL SAM • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
GWM120-0075X1-SL SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 16:$23.68000
GWM120-0075X1-SMD SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD 0 16:$23.68000
GWM160-0055X1-SL SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 16:$23.68000
GWM160-0055X1-SMD SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD 0 16:$23.68000
GWM120-0075P3-SL IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 36:$24.24194
GWM220-004P3-SL IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 36:$24.24194
GWM220-004P3-SMD IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD 0 36:$24.24194
GWM120-0075P3-SL SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 15:$26.38133
GWM120-0075P3-SMD SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD 0 15:$26.38133
GWM220-004P3-SL SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT 0 15:$26.38133
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD 0 15:$26.38133
LKK47-06C5 IXYS MOSFET DUAL 600V 47A ISOPLUS264 0 24:$35.88000
GWM120-0075X1-SL SAM • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 18-SMD,非标准型
供应商设备封装: SMD
包装: 管件