分离式半导体产品 MVDF1N05ER2G品牌、价格、PDF参数
MVDF1N05ER2G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| MVDF1N05ER2G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC |
0 |
2,500:$0.60984
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| ECH8659-TL-H |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 |
0 |
3,000:$0.60998
|
| ECH8651R-TL-HX |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
0 |
3,000:$0.62090
|
| NVMD3P03R2G |
ON Semiconductor |
MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC |
0 |
2,500:$0.63000
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MVDF1N05ER2G • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
2 个 N 沟道（双）
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
50V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
2A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
300 毫欧 @ 1.5A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
12.5nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
330pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
2W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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| 供应商设备封装: |
8-SO
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| 包装: |
带卷 (TR)
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