| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 0 | 1:$1.53000 10:$1.35600 25:$1.22400 100:$1.07100 250:$0.93924 500:$0.83300 1,000:$0.65875 |
| CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 0 | 3,000:$0.59500 6,000:$0.56500 15,000:$0.54400 30,000:$0.52700 75,000:$0.51000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 39 毫欧 @ 2A，8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 585pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 12-UFBGA，DSBGA |
| 供应商设备封装: | 12-DSBGA（2.43x1.96） |
| 包装: | 剪切带 (CT) |