分离式半导体产品 SI1902DL-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI1902DL-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 0 3,000:$0.17670
6,000:$0.16530
15,000:$0.15390
30,000:$0.14535
75,000:$0.14250
150,000:$0.13680
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89 0 3,000:$0.16740
SI1902DL-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 660mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 385 毫欧 @ 660ma,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 270mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 带卷 (TR)