元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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CSD75211W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | 0 | 3,000:$0.59500 6,000:$0.56500 15,000:$0.54400 30,000:$0.52700 75,000:$0.51000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫欧 @ 2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 5.9nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 600pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 12-UFBGA,DSBGA |
供应商设备封装: | 12-DSBGA(2.43x1.96) |
包装: | 带卷 (TR) |