| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IRFHM8363TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN | 1,200 | 400:$0.58768 800:$0.55506 1,200:$0.52005 2,800:$0.49761 10,000:$0.45547 40,000:$0.43949 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 14.9 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1165pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装: | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装: | 带卷 (TR) |