| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DMN4031SSD-13 | Diodes Inc | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 | 5,000 | 2,500:$0.19762 5,000:$0.18488 12,500:$0.17212 25,000:$0.16320 62,500:$0.15938 125,000:$0.15300 |
| DMG4932LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 | 2,500 | 2,500:$0.20150 5,000:$0.18850 12,500:$0.17550 25,000:$0.16640 62,500:$0.16250 125,000:$0.15600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 945pF @ 20V |
| 功率 - 最大: | 1.42W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 包装: | 带卷 (TR) |