IGBT 模块 BSM200GA120DLCS品牌、价格、PDF参数
BSM200GA120DLCS • 品牌、价格
| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
|---|---|---|---|---|
| BSM200GA120DLCS | Infineon Technologies | IGBT 模块 1200V 200A SINGLE | 可订货 | |
| 2PS16006E34G30857 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | 可订货 | |
| 2PS08006E32G28989 | Infineon Technologies | IGBT 模块 630A AC at 230V AC Air Cooled | 可订货 | |
| BSM50GD60DLCE3226 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 600V 70A | 可订货 | |
| BSM35GP120G | Infineon Technologies | IGBT 模块 1200V 35A PIM | 可订货 | |
| FZ1200R17KF6_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | 可订货 | |
| FD400R16KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 1600V 400A CHOPPER | 可订货 | |
| FF400R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 400A | 可订货 | |
| 12MS08012L43G24969 | Infineon Technologies | IGBT 模块 2 x 3 x 400A AC at 500V AC Air Cooled | 可订货 |
BSM200GA120DLCS • PDF参数
| 类别: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模块 1200V 200A SINGLE |
| RoHS: | 否 |
| PDF参数: | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 370 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 功率耗散 | 1450 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 62 mm |
| 封装 |
电子产品资料
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