| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
|---|---|---|---|---|
| FS75R12KE3_B3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A | 可订货 |
| 类别: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A |
| RoHS: | 否 |
| PDF参数: | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Hex |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | |
| 功率耗散 | |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | Econo 3 |
| 封装 |