射频MOSFET电源晶体管 BLF6G10S-45品牌、价格、PDF参数

BLF6G10S-45 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
BLF6G10S-45 NXP Semiconductors 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS 可订货
BLF6G10S-45 • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
PDF参数:
制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 0.7 GHz to 1 GHz
增益 23 dB
输出功率 1 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 13 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-608B
封装 Tube