射频MOSFET电源晶体管 PTFB213004F V1 R250品牌、价格、PDF参数
PTFB213004F V1 R250 • 品牌、价格
| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
|---|---|---|---|---|
| PTFB213004F V1 R250 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz | 可订货 | |
| PTFB182503EL V1 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | 可订货 | |
| PTFB212503EL V2 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | 可订货 |
PTFB213004F V1 R250 • PDF参数
| 类别: | RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管 |
|---|---|
| 描述: | 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz |
| RoHS: | 否 |
| PDF参数: | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 频率 | 2.17 GHz |
| 增益 | 18 dB |
| 输出功率 | 60 W |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 2.4 A |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | H-37275-6/2 |
| 封装 | Reel |
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