元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
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IPS04N03LAG | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 可订货 |
类别: | RF/IF 和 RFID >> MOSFET |
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描述: | MOSFET N-KANAL POWER MOS |
RoHS: | 否 |
PDF参数: | |
制造商 | Infineon Technologies |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 25 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 50 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 5.9 mOhms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-251 |
封装 | Tube |