元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
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2SA2182(Q) | Toshiba | 两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor | 可订货 |
类别: | RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT |
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描述: | 两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor |
RoHS: | 否 |
PDF参数: | |
制造商 | Toshiba |
配置 | Single |
晶体管极性 | PNP |
集电极—基极电压 VCBO | 230 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 230 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
增益带宽产品fT | 80 MHz (Typ) |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 at 0.1 A at 5V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220 SIS |