两极晶体管 - BJT 2SA2182(Q)品牌、价格、PDF参数

2SA2182(Q) • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
2SA2182(Q) Toshiba 两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor 可订货
2SA2182(Q) • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述: 两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor
RoHS:
PDF参数:
制造商 Toshiba
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO 230 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流 1 A
增益带宽产品fT 80 MHz (Typ)
直流集电极/Base Gain hfe Min 100 at 0.1 A at 5V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220 SIS