两极晶体管 - BJT FMB857B_Q品牌、价格、PDF参数

FMB857B_Q • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
FMB857B_Q Fairchild Semiconductor 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor 可订货
FMB857B_Q • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
RoHS:
PDF参数:
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 45 V
最大直流电集电极电流 0.5 A
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 220 at 2 mA at 5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SSOT-6