AOD456A厂商、描述、价格、参数资料

型号
AOD456A
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 50A TO-252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2220pF @ 12.5V
功率 - 最大值
3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
AOD456A相关电子产品资料
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 50A TO-252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2220pF @ 12.5V
功率 - 最大值
3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 50A TO-252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2220pF @ 12.5V
功率 - 最大值
3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 50A TO-252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2220pF @ 12.5V
功率 - 最大值
3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N CH 250V 14A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
770pF @ 25V
功率 - 最大值
150W
工作温度
-50°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N CH 250V 14A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
770pF @ 25V
功率 - 最大值
150W
工作温度
-50°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N CH 250V 14A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
770pF @ 25V
功率 - 最大值
150W
工作温度
-50°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 105V 40A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
105V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2445pF @ 25V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 105V 40A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
105V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2445pF @ 25V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 105V 40A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
105V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2445pF @ 25V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
420 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
790pF @ 25V
功率 - 最大值
150W
工作温度
-50°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称