CMLDM5757 TR厂商、描述、价格、参数资料

型号
CMLDM5757 TR
数量
5975
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
价格(1)
¥3.9530
价格(10)
¥3.6917
价格(25)
¥3.2374
价格(100)
¥2.7698
价格(250)
¥2.4026
价格(500)
¥2.0349
价格(750)
¥1.7571
价格(1000)
¥1.5688
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
CMLDM5757 TR相关电子产品资料
型号
数量
5975
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
5975
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
1400
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
1400
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
5997
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称