CMLDM7002AJ TR厂商、描述、价格、参数资料

型号
CMLDM7002AJ TR
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
价格(3000)
¥2.3695
价格(6000)
¥2.2061
价格(15000)
¥2.1244
价格(30000)
¥2.0427
价格(75000)
¥2.0100
价格(150000)
¥1.9610
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
CMLDM7002AJ TR相关电子产品资料
型号
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
5997
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
5997
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
数量
6000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称