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IC/电子元器件

CMLDM7003G TR厂商、描述、价格、参数资料

型号
CMLDM7003G TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
价格(1)
¥4.6230
价格(10)
¥4.5024
价格(25)
¥3.9798
价格(100)
¥3.4679
价格(250)
¥3.0190
价格(500)
¥2.5700
价格(750)
¥2.2456
价格(1000)
¥2.0584
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
CMLDM7003G TR相关电子产品资料
型号
CMLDM7003G TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003G TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003G TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7003T TR
数量
6000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003T TR
数量
6000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003T TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7003TG TR
数量
6000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003TG TR
数量
6000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7003TG TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7120G TR
数量
2662
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
220pF @ 10V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
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