IRF830S厂商、描述、价格、参数资料

型号
IRF830S
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
IRF830S相关电子产品资料
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
数量
308
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
610pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
数量
1554
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
90nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
标准包装
95
其它名称
型号
数量
30435
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
剪切带(CT)
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
型号
数量
30435
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
Digi-Reel®
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
型号
数量
28000
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
标准包装
4,000
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Ta),60A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7.3 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
标准包装
1
其它名称