IRF830SPBF
308
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
¥10.6530
¥9.5676
¥9.0289
¥7.6923
¥7.2226
¥6.3198
¥5.2364
¥4.8753
¥4.6947
-
管件
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
4.5A(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38nC @ 10V
610pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
50
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308
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
-
管件
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
4.5A(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38nC @ 10V
610pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
50
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
-
带卷(TR)
过期
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
4.5A(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38nC @ 10V
610pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
-
带卷(TR)
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
4.5A(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38nC @ 10V
610pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
-
带卷(TR)
过期
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
4.5A(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38nC @ 10V
610pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
1554
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
-
管件
停产
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.7A
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
2.35V @ 25µA
90nC @ 4.5V
760pF @ 15V
2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
95
30435
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
HEXFET®
剪切带(CT)
Not For New Designs
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.7A
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
2.35V @ 25µA
9nC @ 4.5V
760pF @ 15V
2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
1
30435
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
HEXFET®
Digi-Reel®
Not For New Designs
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.7A
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
2.35V @ 25µA
9nC @ 4.5V
760pF @ 15V
2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
1
28000
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
HEXFET®
带卷(TR)
Not For New Designs
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.7A
15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
2.35V @ 25µA
9nC @ 4.5V
760pF @ 15V
2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
4,000
27800
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
-
剪切带(CT)
过期
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
30V
14A(Ta),60A(Tc)
7.3 毫欧 @ 14A,10V
2.4V @ 25µA
14nC @ 4.5V
1430pF @ 15V
2.2W
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
DirectFET™ 等容 SQ
DIRECTFET™ SQ
1
27800
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
-
Digi-Reel®
过期
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
30V
14A(Ta),60A(Tc)
7.3 毫欧 @ 14A,10V
2.4V @ 25µA
14nC @ 4.5V
1430pF @ 15V
2.2W
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
DirectFET™ 等容 SQ
DIRECTFET™ SQ
1