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IC/电子元器件

IRF8313TRPBF厂商、描述、价格、参数资料

型号
IRF8313TRPBF
数量
30435
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
价格(1)
¥4.4890
价格(10)
¥3.9396
价格(100)
¥3.0204
价格(500)
¥2.3877
价格(1000)
¥1.9102
系列
HEXFET®
包装
Digi-Reel®
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
IRF8313TRPBF相关电子产品资料
型号
IRF8313TRPBF
数量
30435
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
剪切带（CT）
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
型号
IRF8313TRPBF
数量
30435
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
Digi-Reel®
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
型号
IRF8313TRPBF
数量
28000
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
带卷（TR）
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
760pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
4,000
其它名称
型号
IRF8327STR1PBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Ta），60A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.3 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
标准包装
1
其它名称
型号
IRF8327STR1PBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Ta），60A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.3 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
标准包装
1
其它名称
型号
IRF8327STR1PBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Ta），60A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.3 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
标准包装
1,000
其它名称
型号
IRF8327STRPBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Ta），60A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.3 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
标准包装
4,800
其它名称
型号
IRF840
数量
27800
厂商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
系列
PowerMESH™ II
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
832pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
50
其它名称
型号
IRF840
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
1,000
其它名称
型号
IRF840A
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
1,000
其它名称
电子产品资料
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