IRF840A厂商、描述、价格、参数资料

型号
IRF840A
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
1,000
其它名称
IRF840A相关电子产品资料
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
1,000
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
标准包装
1,000
其它名称
型号
数量
17081
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
50
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
数量
500
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
数量
801
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
数量
801
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
数量
800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
其它名称