JANTXV1N5527DUR-1厂商、描述、价格、参数资料

型号
JANTXV1N5527DUR-1
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA
价格(100)
¥326.7121
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
7.5V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
35 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 6.8V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
JANTXV1N5527DUR-1相关电子产品资料
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
7.5V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
35 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 6.8V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35(DO-204AH)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±2%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35(DO-204AH)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±2%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35(DO-204AH)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
8.2V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
40 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 7.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
型号
数量
100
厂商
Aeroflex Metelics, Division of MACOM
描述
Zener Diode 9.1V ±5% Through Hole DO-35
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
9.1V
容差
±5%
功率 - 最大值
-
阻抗(最大值)(Zzt)
45 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
-
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
9.1V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
45 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Microsemi IRE Division
描述
Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
系列
军用,MIL-PRF-19500/437
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
9.1V
容差
±2%
功率 - 最大值
500mW
阻抗(最大值)(Zzt)
45 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.1V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35(DO-204AH)
标准包装
1
其它名称