TPIC44H01DA
304
Texas Instruments
IC 4-CH HIGH-SIDE DRVR 32-TSSOP
¥27.1350
¥24.3947
¥19.9895
¥17.0167
¥12.8138
-
管件
有效
高压侧
独立式
4
N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
-
非反相
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
32-TSSOP(0.240",6.10mm 宽)
32-TSSOP
46
XC27x4X
TPIC44H01DA相关电子产品资料
304
Texas Instruments
IC 4-CH HIGH-SIDE DRVR 32-TSSOP
-
管件
有效
高压侧
独立式
4
N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
-
非反相
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
32-TSSOP(0.240",6.10mm 宽)
32-TSSOP
46
XC27x4X
27800
Texas Instruments
IC 4-CH HIGH-SIDE DRVR 32-TSSOP
-
管件
*
高压侧
独立式
4
N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
-
非反相
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
32-TSSOP(0.240",6.10mm 宽)
32-TSSOP
46
27800
Texas Instruments
IC 4-CH HIGH-SIDE DRVR 32-TSSOP
-
带卷(TR)
*
高压侧
独立式
4
N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
-
非反相
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
32-TSSOP(0.240",6.10mm 宽)
32-TSSOP
2,000
27800
Texas Instruments
IC 4-CH HIGH-SIDE DRVR 32-TSSOP
-
带卷(TR)
停产
高压侧
独立式
4
N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
-
非反相
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
32-TSSOP(0.240",6.10mm 宽)
32-TSSOP
2,000
27800
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24-SSOP
-
管件
过期
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
60
27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
27800
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24SSOP
-
管件
过期
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
60
27800
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24-SSOP
-
带卷(TR)
*
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
2,000
27800
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24-SSOP
-
带卷(TR)
过期
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
2,000
115
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24-SSOP
-
管件
有效
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
60
24nC @ 8V
27800
Texas Instruments
IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24SSOP
-
管件
*
低压侧
独立式
4
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 5.5 V
-
1.2mA,1.2mA
非反相
-
3.5µs,3µs
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
24-SSOP
60