UCC27211D厂商、描述、价格、参数资料

型号
UCC27211D
数量
250
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOIC
价格(1)
¥28.7430
价格(10)
¥25.8352
价格(100)
¥21.1653
价格(500)
¥18.0176
价格(1000)
¥13.5675
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
标准包装
75
其它名称
UCC27211D相关电子产品资料
型号
数量
250
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOIC
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
标准包装
75
其它名称
型号
数量
848
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOPWR
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO PowerPad
标准包装
75
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOPWR
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO PowerPad
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOPWR
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO PowerPad
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOPWR
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO PowerPad
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 10WSON
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
*
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
10-WSON(4x4)
标准包装
3,000
型号
数量
469
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 10WSON
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
10-WSON(4x4)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LO SIDE 4A 10WSON
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
10-WSON(4x4)
标准包装
250
其它名称
型号
数量
469
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 10WSON
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
10-WSON(4x4)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Texas Instruments
描述
IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOIC
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
*
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.3V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
4A,4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
120V
上升/下降时间(典型值)
7.2ns,5.5ns
工作温度
-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
标准包装
2,500