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ECH-U1H473GC9

配单专家企业名单
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  • ECH-U1H473GC9
    ECH-U1H473GC9

    ECH-U1H473GC9

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
ECH-U1H473GC9 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • CAP FILM 0.047UF 50VDC 1913
  • RoHS
  • 类别
  • 电容器 >> 薄膜
  • 系列
  • ECH-U(C)
  • 特色产品
  • ECW-H(C) Series Film Capacitors
  • 标准包装
  • 100
  • 系列
  • ECW-H(C)
  • 电容
  • 0.33µF
  • 额定电压 - AC
  • -
  • 额定电压 - DC
  • 630V
  • 电介质材料
  • 聚丙烯,金属化
  • 容差
  • ±3%
  • ESR(等效串联电阻)
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 105°C
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • 径向
  • 尺寸/尺寸
  • 0.815" L x 0.579" W(20.70mm x 14.70mm)
  • 高度 - 座高(最大)
  • 1.028"(26.10mm)
  • 端子
  • PC 引脚
  • 引线间隔
  • 0.394"(10.00mm)
  • 特点
  • 高频和高稳定性
  • 应用
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 其它名称
  • ECWH6334HCBP15432
ECH-U1H473GC9 技术参数
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1H562JB5 ECH-U1H562JX5 ECH-U1H563GC9 ECH-U1H563GX9 ECH-U1H563JC9 ECH-U1H563JX9 ECH-U1H681GB5 ECH-U1H681GX5 ECH-U1H681JB5 ECH-U1H681JX5 ECH-U1H682GB5 ECH-U1H682GX5 ECH-U1H682JB5 ECH-U1H682JX5 ECH-U1H683GC9 ECH-U1H683GX9 ECH-U1H683JC9 ECH-U1H683JX9
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