ECH8601M-C-TL-HX全国供应商 ECH8601M-C-TL-HX资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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封装
批号
价格
说明
操作

ECH8601M-C-TL-HX
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
13400
SANYO
ECH8
22+
-
原装现货可含税可拆样品

ECH8601M-C-TL-HX
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
8-ECH
17+
-
全新原装现货

ECH8601M-C-TL-HX
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
SANYO/三洋
ECH8
22+
-
十年配单，只做原装

ECH8601M-C-TL-HX
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
75000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

ECH8601M-C-TL-HX
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
SANYO
18+
-
全新原装，优势库存

ECH8601M-C-TL-HX
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
0
SANYO/三洋
ECH8
原装正品
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES - Tape and Reel

ECH8601M-C-TL-HX 技术参数

ECH8411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 4A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8402-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8306-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8305-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8304-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3180pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8652-TL-H ECH8653-S-TL-H ECH8653-TL-H ECH8654-TL-H ECH8654-TL-HQ ECH8655R-R-TL-H ECH8655R-TL-H ECH8656-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8659-TL-HX ECH8659-TL-W ECH8660-S-TL-H ECH8660-TL-H ECH8661-TL-H ECH8662-TL-H ECH8663R-TL-H

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