EPC2111

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说明
操作

EPC2111
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
EPC
模具
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

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功能描述
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商
epc
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
230pF @ 15V，590pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2111 技术参数

EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）标准包装:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:60V，100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2108 功能描述:MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:60V，100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-VFBGA 供应商器件封装:9-BGA (1.35x1.35) 标准包装:1 EPC2107ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.16nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010