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EPC2LC20/N

配单专家企业名单
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  • EPC2LC20/N
    EPC2LC20/N

    EPC2LC20/N

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ALTERA

  • 06+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • EPC2LC20/N
    EPC2LC20/N

    EPC2LC20/N

  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
    深圳市荣泽信电子科技有限公司

    联系人:荣泽信-晏S

    电话:18028731859

    地址:华富村东区417室

  • 10000

  • ALTERA

  • PLCC

  • 15+

  • -
  • 全新原装环保货期一天

  • EPC2LC20/N
    EPC2LC20/N

    EPC2LC20/N

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:欧阳先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • ALTERA

  • PLCC

  • 10+

  • -
  • 原装现货优势库存

  • EPC2LC20/N
    EPC2LC20/N

    EPC2LC20/N

  • 聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
    聚芯优品(深圳)控股集团有限公司

    联系人:邓生

    电话:1330244183018823807848

    地址:深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

    资质:营业执照

  • 2250

  • ALTERA

  • SOIC8

  • 21+

  • -
  • 现货分销 自有库存 正品保障 假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
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EPC2LC20/N 技术参数
  • EPC2LC20 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 33A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N
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