EPC2LC20.

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EPC2LC20. 技术参数

EPC2LC20 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N