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EPC2LCC20

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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EPC2LCC20 技术参数
  • EPC2LC20N 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC2LC20 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 33A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N EPC9001
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