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ES1-LW100-N-P

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ES1-LW100-N-P 技术参数
  • ES1JTR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:45pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:45pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1GRX 功能描述:ES1GR SOD123 SOD2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400nA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:14pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:45pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1PAHE3/84A ES1PAHE3/85A ES1PA-M3/84A ES1PB-E3/85A ES1PBHE3/84A ES1PBHE3/85A ES1PBHM3/84A ES1PBHM3/85A ES1PB-M3/84A ES1PB-M3/85A ES1PC-E3/85A ES1PCHE3/84A ES1PCHE3/85A ES1PCHM3/84A ES1PCHM3/85A ES1PC-M3/84A ES1PC-M3/85A ES1PD-E3/85A
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