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ES1GE-TP

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
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    联系人:王小姐

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ES1GE-TP 技术参数
  • ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:45pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:930mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:17pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1629AS/600 功能描述:ALUMINUM EXTRUSION FOR ASYMMETRI 制造商:khatod north america llc 系列:- 零件状态:有效 配件类型:基座 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:10 ES1629/600 功能描述:ALUMINUM EXTRUSION FOR NARROW ST 制造商:khatod north america llc 系列:- 零件状态:有效 配件类型:基座 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:10 ES1GL RQG ES1GL RTG ES1GL RUG ES1GL RVG ES1GLHM2G ES1GLHMHG ES1GLHMQG ES1GLHMTG ES1GLHR3G ES1GLHRFG ES1GLHRHG ES1GLHRQG ES1GLHRTG ES1GLHRUG ES1GLHRVG ES1G-LTP ES1GLW RVG ES1GLWHRVG
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