ES1J(SF107)

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ES1J(SF107) 技术参数

ES1GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1GRX 功能描述:ES1GR SOD123 SOD2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:14pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:930mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES1JL MHG ES1JL MQG ES1JL MTG ES1JL R3G ES1JL RFG ES1JL RHG ES1JL RQG ES1JL RTG ES1JL RUG ES1JL RVG ES1JLHM2G ES1JLHMHG ES1JLHMQG ES1JLHMTG ES1JLHR3G ES1JLHRFG ES1JLHRHG ES1JLHRQG