ES2DV M4G

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ES2DV M4G 技术参数

ES2DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES2DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES2DPX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A 5CFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:5-CFP 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES260XP 功能描述:GDT 220V 2.5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:ES260XP 包装:散装零件状态:有效电压 - DC 火花放电（标称值）:220V 脉冲放电电流（8/20us）:2500A（2.5kA）容差:- 极数:2 故障短接:无安装类型:通孔封装/外壳:轴向圆柱形，径向弯曲标准包装:500 ES23MCKE 功能描述:Slide Switch DPDT Through Hole 制造商:c&k components 系列:ES 包装:托盘零件状态:过期电路:DPDT 接触时间:未指定开关功能:开-关-开额定电流:0.4VA（AC/DC）额定电压 - AC:20V 额定电压 - DC:20V 致动器类型:标准致动器长度:3.07mm 触头材料:磷青铜触头镀层:金安装类型:通孔端子类型:PC 引脚特性:环氧树脂密封端子，IP57 致动器材料:液晶聚合物（LCP）开关行程:2.29mm 工作温度:-30°C ~ 85°C 机械寿命:40，000 次循环电气寿命:40，000 次循环作用力:- 标准包装:1 ES2FAHM2G ES2FAHR3G ES2F-E3/52T ES2F-E3/5BT ES2FHE3/52T ES2FHE3/5BT ES2FHE3_A/H ES2FHE3_A/I ES2FHM4G ES2FHR5G ES2F-M3/52T ES2F-M3/5BT ES2G M4G ES2G R5G ES2G/1 ES2G-13-F ES2GA M2G ES2GA R3G