参数资料
型号: TISP7125F3SL
厂商: Bourns Inc.
文件页数: 13/19页
文件大小: 0K
描述: SURGE SUPP 100V BIDIR 3-SL
产品变化通告: Product Obsolescence Jun/2008
标准包装: 50
电压 - 击穿: 125V
电压 - 断路: 100V
电压 - 导通状态: 5V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 175A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 45A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 3
电容: 47pF
封装/外壳: 径向 - 3 引线
包装: 管件
TISP7xxxF3 (MV, HV) Overvoltage Protector Series
Thermal Information
Rating
Symbol
Value
Unit
Non-repetitive peak on-state pulse current, 0 ° C < T A < 70 ° C (see Notes 5, 6 and 7)
1/2 (Gas tube differential transient, 1/2 voltage wave shape)
2/10 (Telcordia GR-1089-CORE, 2/10 voltage wave shape)
1/20 (ITU-T K.22, 1.2/50 voltage wave shape, 25 ? resistor)
8/20 (IEC 61000-4-5, combination wave generator, 1.2/50 voltage wave shape)
320
175
90
150
10/160 (FCC Part 68, 10/160 voltage wave shape)
4/250 (ITU-T K.20/21, 10/700 voltage wave shape, dual)
0.2/310 (CNET I 31-24, 0.5/700 voltage wave shape)
5/310 (ITU-T K.20/21, 10/700 voltage wave shape, single)
5/320 (FCC Part 68, 9/720 voltage wave shape)
10/560 (FCC Part 68, 10/560 voltage wave shape)
10/1000 (Telcordia GR-1089-CORE, 10/1000 voltage wave shape)
I PPSM
90
70
65
65
65
45
40
A
NOTES: 5. Initially, the TISP device must be in thermal equilibrium at the specified T A . The impulse may be repeated after the TISP ? device
?
returns to its initial conditions. The rated current values may be applied either to the R to G or to the T to G or to the T to R
terminals. Additionally, both R to G and T to G may have their rated current values applied simultaneously (In this case the total
G terminal current will be twice the above rated current values).
6. See Applications Information for details on wave shapes.
7. Above 70 ° C, derate I PPSM linearly to zero at 150 ° C lead temperature.
MARCH 1994 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
相关PDF资料
PDF描述
TISP7125F3P SURGE SUPP 100V BIDIR 8-DIP
SSW-148-01-G-S CONN RCPT .100" 48POS SNGL GOLD
TISP7125F3DR SURGE SUPP 100V BIDIR 8-SOIC
929838-04-15-RK CONN HEADER .100 DUAL R/A 30POS
SSW-121-02-G-D-RA CONN RCPT .100" 42PS DL R/A GOLD
相关代理商/技术参数
参数描述
EL5411IR-T13 功能描述:IC OP AMP QUAD 60MHZ RR 14-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:LinCMOS™ 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.05 V/µs 增益带宽积:110kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:0.7pA 电压 - 输入偏移:210µV 电流 - 电源:57µA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源,单路/双路(±):3 V ~ 16 V,±1.5 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:14-SOIC 包装:管件 产品目录页面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-1834296-1834-5
EL5411IR-T7 功能描述:IC OP AMP QUAD 60MHZ RR 14-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:LinCMOS™ 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.05 V/µs 增益带宽积:110kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:0.7pA 电压 - 输入偏移:210µV 电流 - 电源:57µA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源,单路/双路(±):3 V ~ 16 V,±1.5 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:14-SOIC 包装:管件 产品目录页面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-1834296-1834-5
EL5411IRZ 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5411IRZ 30 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
EL5411IRZ-T13 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5411IRZ 30 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
EL5411IRZ-T7 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5411IRZ 30 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel