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F1070

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  • 制造商
  • POLYFET
  • 制造商全称
  • Polyfet RF Devices
  • 功能描述
  • PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1070 技术参数
  • F-106Z 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LUGS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V,230V 电压 - 次级(满负载):并行 6V,系列 12V 电流 - 输出(最大值):并行 4A,系列 2A 初级绕组:双 次级绕组:双 中心抽头:无 功率 - 最大值:24 VA 安装类型:底座安装 端子类型:焊片 大小/尺寸:79.38mm 长 x 50.80mm 宽 高度 - 安装(最大值):69.85mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:16 F10-600-C2-B 功能描述:XFRMR LAMINATED 6VA THRU HOLE 制造商:triad magnetics 系列:C2 Split Pack? 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级(满负载):并行 5V,系列 10V 电流 - 输出(最大值):并行 1.2A,系列 600mA 初级绕组:单一 次级绕组:双 中心抽头:无 功率 - 最大值:6 VA 安装类型:通孔 端子类型:PC 引脚 大小/尺寸:41.28mm 长 x 33.32mm 宽 高度 - 安装(最大值):33.32mm 电压 - 隔离:2500Vrms 标准包装:100 F10-600 功能描述:XFRMR LAMINATED THRU HOLE 制造商:triad magnetics 系列:C2 Split Pack? 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级(满负载):并行 5V,系列 10V 电流 - 输出(最大值):并行 1.2A,系列 600mA 初级绕组:单一 次级绕组:双 中心抽头:无 功率 - 最大值:6 VA 安装类型:通孔 端子类型:PC 引脚 大小/尺寸:41.28mm 长 x 33.32mm 宽 高度 - 安装(最大值):33.32mm 电压 - 隔离:2500Vrms 标准包装:10 F-105Z 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LUGS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V,230V 电压 - 次级(满负载):并行 6V,系列 12V 电流 - 输出(最大值):并行 2A,系列 1A 初级绕组:双 次级绕组:双 中心抽头:无 功率 - 最大值:12 VA 安装类型:底座安装 端子类型:焊片 大小/尺寸:73.02mm 长 x 44.45mm 宽 高度 - 安装(最大值):60.32mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:20 F1051/2 BK005 功能描述:HEAT SHRINK TUBING 1/2" BK 0.5' 制造商:alpha wire 系列:FIT?-105 零件状态:在售 类型:套管,弹性 收缩率:2 至 1 长度:0.500'(152.40mm,6.00") 内径(出厂):0.500"(12.70mm) 内径 - 恢复后:0.250"(6.35mm) 恢复后的壁厚:0.030"(0.76mm) 材料:聚氯乙烯(PVC),辐射处理 特性:阻燃,防紫外线 颜色:黑色 工作温度:-20°C ~ 105°C 收缩温度:100°C 标准包装:1 F10J125 F10J125E F10J150 F10J150E F10J15R F10J15RE F10J1K0 F10J1K0E F10J1K25 F10J1K25E F10J1K5 F10J1K5E F10J1K75 F10J1K75E F10J1R0 F10J1R0E F10J200 F10J200E
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