F1975EVBI

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

F1975EVBI
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
IDT, Integrated Device Te
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

F1975EVBI
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1
IDT, Integrated Device Te
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

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1

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功能描述
EVAL BOARD FOR F1975
制造商
idt, integrated device technology inc
系列
-
零件状态
有效
类型
衰减器
频率
-
配套使用产品/相关产品
F1975
所含物品
板
标准包装
1

F1975EVBI 技术参数

F-195X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:15.5V，32V 电流 - 输出（最大值）:750mA，250mA 初级绕组:单一次级绕组:双中心抽头:是功率 - 最大值:19.63 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:95.25mm 长 x 47.63mm 宽高度 - 安装（最大值）:57.15mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1956NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:0 ~ 4GHz 功率（W）:1.5W 阻抗:50 欧姆封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1953NCGI 功能描述:RF Attenuator 32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 400MHz ~ 4GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:400MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1951NBGI 功能描述:RF Attenuator 32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 100MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:100MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:150MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S F1ABZO-1B08-10F F1ABZO-1B08-10S F1ABZO-6408-10F F1ABZO-6408-10S F1ACXN-6408-10F F1ACXN-6408-10S F1ACXO-6408-10F