FDD306P MOS(场效应管)

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说明
操作

FDD306P MOS(场效应管)
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
8477
FAIRCHILD/仙童
SOT252
07+
-
全新原装数量均有多电话咨询

FDD306P MOS(场效应管)
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
86800
FAIRCHILD/仙童
SMD
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

FDD306P MOS(场效应管)
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
FAIRCHILD/仙童
TO-252
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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FDD306P MOS(场效应管) 技术参数

FDC6901L 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6329L 功能描述:电源开关 IC - 配电 SSOT-6 LOAD SW 8V RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 FDD3682 FDD3682_F085 FDD3682-F085 FDD3690 FDD3706 FDD3860 FDD390N15A FDD390N15ALZ FDD3N40TF FDD3N40TM FDD3N50NZTM FDD4141 FDD4141_F085 FDD4141-F085 FDD4243 FDD4243_F085 FDD4243-F085 FDD45AN06LA0