FDD6N50F STK830D

配单专家企业名单

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说明
操作

FDD6N50F STK830D
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
A
SOT-252
22+
-
十年配单，只做原装

FDD6N50F STK830D
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
AUK
SOT-252
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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您是不是要找： FDD6N50FTF FDD6N50FTM FDD6N50TF FDD6N50TM FDD6N50TM_F085 FDD6N50TM_WS FDD6N50TM-F085 FDD6N50TM-WS FDD7030BL

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FDD6N50F STK830D 技术参数

FDD-50ST2/1-LF 功能描述:D-SUB 50 SOD FILTERED TIN 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 FDC6901L 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDD770N15A FDD7N20TM FDD7N25LZTM FDD7N60NZTM FDD8424H FDD8424H_F085 FDD8424H_F085A FDD8424H-F085A FDD8426H FDD8444 FDD8444_F085 FDD8444-F085 FDD8444L FDD8444L_F085 FDD8444L-F085 FDD8445 FDD8445_F085 FDD8445-F085