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FDP032N08-F102

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FDP032N08-F102
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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FDP032N08-F102 技术参数

FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMF8705 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDP045N10A-F102 FDP047AN08A0 FDP047AN08A0_F102 FDP047AN08A0-F102 FDP047N08 FDP047N08_F102 FDP047N08-F102 FDP047N10 FDP050AN06A0 FDP053N08B_F102 FDP053N08B-F102 FDP054N10 FDP060AN08A0 FDP070AN06A0 FDP075N15A FDP075N15A_F102 FDP075N15A-F102 FDP083N15A